深圳市微碧半导体有限公司VBsemi 第三代 SiC MOSFET

发布日期：2025-8-15 17:29:22　浏览次数：

VBsemi 第三代 SiC MOSFET 发布：21mΩ 超低阻抗重新定义快充效率》

微碧半导体针对电动汽车直流快充、储能系统（ESS）及双向充电（V2G）等关键领域，推出多款基于第三代 SiC 技术的 MOSFET 产品。其凭借超低导通电阻、高开关效率及卓越的散热性能，可完美替代传统硅基方案。

《华强电子网年度评选：微碧半导体 MOSFET 成国产芯片标杆品牌》

微碧半导体自主研发的超结 MOSFET（SJ-MOS）系列产品，凭借超高功率密度和卓越开关特性，打破国外技术垄断。其产品通过华为、比亚迪、格力等头部企业认证，MOSFET 产品在新能源汽车三电系统领域市占率持续提升，成为国产替代重要力量，且其近年保持年均超 50% 的增长速度等内容。

《突破功率密度极限！DFN8 (5x6) 200V SGT MOSFET VBGQA1202N》

微碧半导体革命性新品 VBGQA1202N，其是一款采用先进 SGT 技术的 200V 高功率 SGT MOSFET。其最大突破是将 200V/50A 高功率能力浓缩在 5x6mm 的 DFN8 封装中，借助创新三维封装技术及独特散热通道设计，使结到环境热阻降低 40%，可助力解决 AI 硬件设计功率密度受限等行业难题。

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